TPN4R303NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TPN4R303NL,L1Q |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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5000+ | $0.4187 |
10000+ | $0.403 |
25000+ | $0.395 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 200µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
Serie | U-MOSVIII-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 700mW (Ta), 34W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.8 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
Grundproduktnummer | TPN4R303 |
TPN4R303NL,L1Q Einzelheiten PDF [English] | TPN4R303NL,L1Q PDF - EN.pdf |
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TPN4R303NL,L1QToshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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